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高电阻率硅超半球

高电阻率硅超半球

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商品描述

特征：

  • 采用高电阻率硅制成；

  • 在整个太赫兹频谱中传输；

高电阻率硅相较于其他常见的太赫兹基底材料，如TPX（聚甲基戊烯）、PE（聚乙烯）和PTFE（聚四氟乙烯），具有多项优势。高电阻率硅在较短波长（<200µm）下表现出平坦的透射特性，同时具备更高的机械稳定性和热稳定性。

非常适合用于太赫兹成像，我们的高电阻率硅超半球形器件提供多种厚度规格，可满足各种应用需求。


商品名称

商品编号

直径10毫米×厚度5.0毫米硅超半球

63-297

直径10毫米×厚度5.5毫米硅超半球

63-298

10毫米直径×6.0毫米厚硅超半球

63-299

10毫米直径×6.5毫米厚硅超半球

63-300

10毫米直径×7.0毫米厚硅超半球

63-301

10毫米直径×7.5毫米厚硅超半球

63-302


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